上世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統(tǒng)的集成技術三個發(fā)展階段。

功率半導體器件從雙極型器件（BPT、SCR、GTO）發(fā)展為MOS型器件（功率MOSFET、IGBT、IGCT等），使電力電子系統(tǒng)有可能實現(xiàn)高頻化，并大幅度降低導通損耗，電路也更為簡單。

自上世紀80年代開始，高頻化和軟開關技術的開發(fā)研究，使功率變換器性能更好、重量更輕、尺寸更小。高頻化和軟開關技術是過去20年國際電力電子界研究的熱點之一。

上世紀90年代中期，集成電力電子系統(tǒng)和集成電力電子模塊（IPEM）技術開始發(fā)展，它是當今國際電力電子界亟待解決的新問題之一。

關注點一：功率半導體器件性能

1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用超級結（Super-Junction）結構，故又稱超結功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級，仍保持開關速度快的特點，是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導體器件。

IGBT剛出現(xiàn)時，電壓、電流額定值只有600V、25A。很長一段時間內(nèi)，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過長時間的探索研究和改進，現(xiàn)在IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓IGBT單片耐壓已達到6500V，一般IGBT的工作頻率上限為20kHz～40kHz，基于穿通（PT）型結構應用新技術制造的IGBT，可工作于150kHz（硬開關）和300kHz（軟開關）。

IGBT的技術進展實際上是通態(tài)壓降，快速開關和高耐壓能力三者的折中。隨著工藝和結構形式的不同，IGBT在20年歷史發(fā)展進程中，有以下幾種類型：穿通（PT）型、非穿通（NPT）型、軟穿通（SPT）型、溝漕型和電場截止（FS）型。

碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點是：禁帶寬、工作溫度高（可達600℃）、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導熱性能好、漏電流極小、PN結耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體器件。

可以預見，碳化硅將是21世紀最可能成功應用的新型功率半導體器件材料。